電性測試
芯片電性測試的主要目的是確保芯片的電氣性能符合設(shè)計規(guī)格，從而保證芯片在實際應用中的可靠性和穩(wěn)定性。通過電性測試，可以檢測出芯片在正常工作狀態(tài)下的電力消耗、電流、電壓、電阻等參數(shù)是否符合預期，確保芯片在不同工作條件下的性能表現(xiàn)?。芯片電性性測試是指對芯片設(shè)計特性進行測試，包括電流、電壓、功率、阻抗等參數(shù)的測量。其基本原理是通過向芯片中注入電流或電壓，然后測量芯片的響應，從而得到芯片的電學特性參數(shù)。實驗室的電性測試主要可分為芯片靜態(tài)測試以及芯片可靠性測試兩個方面。
試驗項目
芯片靜態(tài)測試
包含I-V電特性量測（I-V Curve）、點針信號量測（Probe）、納米探針電性量測。
芯片可靠性測試
包含靜電放電/過度電性應力/閂鎖試驗（ESD/EOS/Latch-up）、橫向電波小室抗擾度測試（TEM Cell EMI）、靜電放電抗擾度(ESD GUN)、近場掃描量測（Near Field Scanner）以及傳輸線脈沖系統(tǒng)（TLP&VFTLP）。
